Universität Stuttgart
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Item Open Access Stereoselective alkylation of aromatic compounds with threonine trifluoromethanesulfonates(1987) Effenberger, Franz; Weber, ThomasAlkyl trifluoromethanesulfonates (alkyl triflates) have only been used in special cases for the alkylation of aromatic compounds. We have now succeeded in synthesizing the N-protected triflates of (S)- and (R)-serine methyl ester as well as the N-protected triflates 1 of all diastereomeric threonine methyl esters in very good yields and with complete retention of configuration.Item Open Access Stereoselektive Synthesen von α,α'-Iminodicarbonsäuren (Aminosäuren ; 5)(1986) Effenberger, Franz; Burkard, UlrikeDie Trifluormethansulfonate 1, 11 bzw. 26 von enantiomerenreinen Milchsäureestern, β-Phenylmilchsäureestern bzw. α-Hydroxyglutarsäure-dimethylester (25) reagieren mit (S)-bzw. (R)-α-Aminosäureestern 2, 5, 8, 14, 17, 20 bzw. 23 diastereoselektiv zu denα,α'-Iminodicarbonsäureestern 3, 6, 9, 12, 15, 16, 18, 21 bzw. 24, die sich ohne Schwierigkeiten zu den entsprechenden α,α'-Iminodicarbonsäuren 4, 7, 10, 13, 19 bzw. 22 verseifen lassen. Verantwortlich für die hohe Diastereomerenausbeute bei diesen Reaktionen ist die große Austrittstendenz des Trifluormethansulfonat-Ions, das auch bei tiefen Temperaturen den Austausch mit den relativ schwach nucleophilen α-Aminosäureestern nach einem reinen SN2-Mechanismus ermöglicht.Item Open Access Pulsationsdämpfung in Rohrleitungen mit Hilfe eines kombinierten Rückdämpfers(1980) Rachmilevic, Zinovij Z.; Pertschi, Ottmar (Übersetzer)Durch Einbau eines kombinierten Druckpulsations-Rückdämpfers in die Druckleitung eines 2V-30/7-Verdichters weden die Druckluftpulsationen auf praktisch normale Werte gesenkt, wodurch die Arbeitsweise der Druckleitung, der Verschlüsse und des Verdichters im Gesamten normalisiert wird. Der in die Druckleitung eingebaute Dämpfer läßt sich als Ölabscheider verwenden, wobei man jedoch beachten muß, daß er als Ölabscheider nur bei geringen Temperaturen der zu verdichtenden Luft arbeiten kann.Item Open Access Promotionsordnung der Universität Stuttgart vom 16. Oktober 2008 und Erste Satzung zur Änderung der Promotionsordnung der Universität Stuttgart vom 18. August 2009 und Zweite Satzung zur Änderung der Promotionsordnung der Universität Stuttgart vom 02. März 2010 und Dritte Satzung zur Änderung der Promotionsordnung der Universität Stuttgart vom 16. August 2010(2008)Auf Grund von § 38 Abs. 4 des Landeshochschulgesetzes vom 1. Januar 2005 (GBl. S. 1), zuletzt geändert durch das Gesetz zur Umsetzung der Föderalismusreform im Hochschulbereich vom 20. November 2007 (GBl. S. 505) hat der Senat der Universität Stuttgart am 7. Mai 2008 die nachstehende Neufassung der Promotionsordnung beschlossen. Der Rektor hat seine Zustimmung gemäß § 38 Abs. 4 des Landeshochschulgesetzes am 16. Oktober 2008, Az.: 7841.170, erteilt. Auf Grund von § 38 Abs. 4 des Landeshochschulgesetzes vom 1. Januar 2005 (GBl. S. 1), zuletzt geändert durch das Gesetz zur Umsetzung der Föderalismusreform im Hochschulbereich vom 03. Dezember 2008 (GBl. S. 435) hat der Senat der Universität Stuttgart am 22. Juli 2009 die nachstehende Erste Satzung zur Änderung der Promotionsordnung vom 16. Oktober 2008 (Amtliche Bekanntmachung Nr. 72/08) beschlossen. Der Rektor hat seine Zustimmung gemäß § 38 Abs. 4 des Landeshochschulgesetzes am 18. August 2009, Az.: 7841.170, erteilt. Auf Grund von § 38 Abs. 4 des Landeshochschulgesetzes (LHG) hat der Senat der Universität Stuttgart am 24. Februar 2010 die nachstehende Zweite Satzung zur Änderung der Promotionsordnung der Universität Stuttgart vom 16. Oktober 2008 (Amtliche Bekanntmachungen Nr. 72/2008), zuletzt geändert durch Satzung vom 18. August 2009 (Amtliche Bekanntmachungen Nr. 46/2009), beschlossen. Der Rektor hat seine Zustimmung gemäß § 38 Abs. 4 des Landeshochschulgesetzes am 02. März 2010 , Az.: 7841.170, erteilt. Auf Grund von § 38 Abs. 4 des Landeshochschulgesetzes (LHG) hat der Senat der Universität Stuttgart am 21.07.2010 die nachstehende Dritte Satzung zur Änderung der Promotionsordnung der Universität Stuttgart vom 16. Oktober 2008 (Amtliche Bekanntmachungen Nr. 72/2008), zuletzt geändert durch Satzung vom 02. März 2010 (Amtliche Bekanntmachungen Nr. 4/2010), beschlossen. Der Rektor hat seine Zustimmung gemäß § 38 Abs. 4 des Landeshochschulgesetzes am 16. August 2010, Az.: 7841.170, erteilt.Item Open Access Verantwortung für die Technik - ein Institutionenproblem(1991) Hubig, ChristophDie Übernahme einer Verantwortung für die Technik erscheint daher nach wie vor als zwar schwieriges, aber sukzessiv lösbares Institutionenproblem, das nicht auf Individualethik reduzierbar ist, das aber auch nicht an Institutionen und Bürokratien delegierbar ist. Es bedarf vielmehr eines neuen Typus von Institutionen im Umgang mit der Technik. Diese Institutionen sind charakterisiert durch ihre Transparenz und Offenheit hinsichtlich der Einwirkungsmöglichkeiten von Individuen auf sie selbst.Item Open Access Strukturelle Eigenschaften von Cu(In,Ga)(Se,S)2 Dünnschichten(2003) Kötschau, Immo Michael; Werner, Jürgen H. (Prof. Dr. rer. nat. habil.)In Cu(In,Ga)(S,Se)2-Dünnfilmen treten, je nach Wachstum, auf natürliche Weise teilweise recht große Zusammensetzungsgradienten auf. Einerseits wurde an In-reichem Material eine Cu-arme Oberflächendefektschicht entdeckt, andererseits sorgt die Dynamik Cu-reicher Wachstumsprozesse für einen über die gesamte Schichtdicke veränderlichen Ga- oder S-Gehalt. Die gezielte Beeinflussung der tiefenabhängigen Konzentration von Ga und S kann unter anderem dazu genutzt werden, Rekombinationsverluste innerhalb der Solarzelle zu minimieren. Solches "Bandgap-Engineering" führte bereits zu entscheidenden Verbesserungen des Wirkungsgrades von Cu(In,Ga)(S,Se)2-Solarzellen. Für die gezielte quantitative Untersuchung der tiefenabhängigen Zusammensetzung in Dünnfilmen standen bisher ausschließlich nicht zerstörungsfreie Methoden zur Verfügung. Insbesondere können die mit Sputtermethoden erzielten Tiefenprofile der Zusammensetzung aufgrund des Sputterprozesses selbst stark fehlerbehaftet sein. Wegen dieser Problematik entwickelt diese Arbeit eine alternative Methode. Es hat sich gezeigt, dass sich Röntgenbeugungsspektren von Cu(In,Ga)(S,Se)2-Dünnfilmen, gemessen unter streifendem Einfall (Grazing Incidence X-Ray Diffraction; GIXRD), korrekt mittels eines Schichtenabsorptionsmodells, in welchem über die Absorption gewichteter Anteile aus unterschiedlich tiefen Schichten das Beugungsspektrum als Summe über alle Schichten berechnet wird, beschreiben lassen. Eine quantitative Auswertung von Strukturdaten, insbesondere die Verfeinerung von Zusammensetzungstiefenprofilen, ist damit möglich. Um die Gültigkeit der Modellierung einzugrenzen, erfolgte die Betrachtung und ausführliche Diskussion aller in der Praxis vorkommender apparate- und probenspezifischer Effekte. Während die Wechselwirkung von Oberflächenrauigkeiten und Brechung durch einfache Transformationen zu kompensieren sind, können beispielsweise tiefenabhängige Unterschiede der bevorzugten Orientierung Probleme aufwerfen, wenn über ihre Tiefenabhängigkeit keine Daten vorliegen. Prinzipiell ist jedoch die Untersuchung der Einflüsse aller Eingangsparamter, seien sie apparatebedingt oder durch die Probe selbst verursacht, möglich, solange alle übrigen Parameter bekannt sind. Eine eindeutige Verfeinerung von Tiefenprofilen muss dabei immer die Voraussetzung erfüllen, dass ein und derselbe Eingangsparametersatz gleichzeitig alle unter verschiedenen Einfallswinkeln gemessenen Spektren hinreichend genau beschreibt. Die Verfeinerung von Zusammensetzungstiefenprofilen erfolgt praktisch durch den Vergleich gemessener und simulierter Spektren, wobei dies in der jetzigen Fassung des dafür entwickelten Simulationsprogrammes (Thin Film X-Ray Diffraction Absorption Utility; TFXDAU) interaktiv geschieht. Die Eindeutigkeit der Anpassung hängt vom Umfang der a priori zur Verfügung stehenden Eingangsparameter ab. Liegen beispielsweise aufgrund des Wachstumsprozesses Informationen über mögliche Tiefenprofile bereits vor, lassen sich geeignete Modellfunktionen (Diffusionsprofile, Stufenfunktionen etc.) schrittweise durch vergleichende Simulationen anpassen. So gelang es, einen mehrstufigen S-Se-Gradienten des Anionen-Untergitters in einer Cu(In,Ga)(S,Se)2-Schicht detailgenau nachzuweisen. Die Veränderungen, die sich dabei gegenüber dem mit Sekundärionen-Massenspektrometrie gemessenen Tiefenprofil ergaben, ließen sich auf Messartefakte zurückführen, die der Sputterprozess selbst verursacht hat. Ebenso war ein In-Ga-Gradient im Kationen-Untergitter einer Cu(In,Ga)Se2-Schicht mit einer Tiefenauflösung von unter 50nm nachzuweisen. Die Gradierungen erstrecken sich dabei immer über die ganze Schichtdicke. In diesem Sinne erreicht diese Arbeit ihr eigentliches Ziel: die Entwicklung einer Methode, mit der die Tiefenabhängigkeiten der strukturellen Eigenschaften, welche auf das Engste mit den elektronischen Eigenschaften (Verlauf der Bandkanten) in Verbindung stehen, zu bestimmen sind. Als "Nebenprodukt" eignet sich diese Modellierung dazu, die integralen Ga- und S-Gehalte an homogenen Proben bis auf 2% genau zu bestimmen. Darüber hinaus hat sich gezeigt, dass die Möglichkeiten des Schichtenabsorptionsmodells noch nicht ausgeschöpft sind. Oberflächennahe Zusammensetzungsgradienten zeigen in Beugungsspektren, die unter kleinsten Einfallswinkeln gemessen werden, noch deutliche Auswirkungen. Die Existenz der immer wieder ins Spiel gebrachten Cu-armen Oberflächendefektschicht war mit Hilfe der Modellierung Cu-armer Oberflächen eindeutig nachzuwiesen. Überdies ließ sich ein Zusammenhang zwischen integralem Cu-Gehalt und der mittleren Dicke der Cu-armen Oberflächendefektschicht belegen.Item Open Access Security Tools 7: Paßwörter - ein ewiges Problem?(1997) Lehle, Bernd; Reutter, OliverUnsere bisherigen Artikel beschäftigten sich hauptsächlich mit Dingen, über die sich ein Systembetreuer Gedanken machen muß. Nun kommen wir zu einem Thema, das wirklich alle Benutzer angeht und bei dem jeder Benutzer durch leichtfertiges Verhalten Sicherheitslücken schaffen kann. Es ist daher nötig, daß diese Informationen an alle Benutzer weitergegeben werden.Item Open Access Item Open Access Practical methods and tools for specification(1987) Ludewig, JochenThis is a course on specification. Since it is based on experiences in the field of software engineering. It applies primarily to software specifications. Many observations and reports indicate, however, that, from specification aspects, there is not much difference between information processing systems in general and software in particular. Therefore, most of this course applies also to system specification. In the first chapter, some fundamentals are discussed. These include the life cycle model and the distribution of costs over the various activities, some definitions, and a rationale for semi-formal specification. The second chapter provides a general outline of a specification system, whose desirable properties are deduced from the qualities of good specifications. In the third chapter, we present some typical specification systems. The primary goal is to show some typical features of such systems rather than to describe them in detail. The fourth chapter addresses management aspects. In chapter 5, some general conclusions are drawn. The appendix (chapter 6) contains a bibliography on specification, and a list of suppliers.Item Open Access Das Substitutionsgesetz der Organisation(1986) Reiß, MichaelDas Substitutionsgesetz der Organisation besagt in gesetzesmäßiger Wenn-Dann-Formulierung, daß sich in der Ausgestaltungsform betrieblicher Regelungen, konkret in der Festlegung des Anwendungs- bzw. Geltungsbereichs dieser Regelungen, ein umfassend angelegter Strukturwandel vollzieht. Infolge der größeren Ähnlichkeit (Wiederholungscharakter, Periodizität) bzw. geringeren Variabilität betrieblich relevanter Tatbestände (Bearbeitungsvorgänge, Verfahren, Materialien, Produkte usw.) verdrängen generelle Regelungen die weniger generell konzipierten Regelungen, d.h. die improvisatorischen bzw. die fallweisen Regelungen (ungebundene Dispositionen).