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http://dx.doi.org/10.18419/opus-10521
Autor(en): | Hähnel, Daniel |
Titel: | Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren |
Erscheinungsdatum: | 2019 |
Dokumentart: | Dissertation |
Seiten: | XV, 113, xxxii |
URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-105385 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/10538 http://dx.doi.org/10.18419/opus-10521 |
Zusammenfassung: | Im Rahmen der Arbeit wird eine Einordnung gegeben, inwiefern der TFET in der heutigen Skalierung der Mikroprozessoren eine Alternative zum konventionellen MOSFET-Aufbau darstellen kann. Im Speziellen wurde der Germanium-p-Kanal-Tunneltransistor experimentell über die Prozessentwicklung eines GAA-Aufbaus (komplett umgebende Gate-Elektrode, engl. Gate-All-Around-Structure) realisiert und über die physikalische Modellierung des Schaltverhaltens betrachtet. |
Enthalten in den Sammlungen: | 05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik |
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Ge-GeSn-GAA-TFET-iht-corp-ident_Deckblatt_Endfassung_Juli_2.pdf | 9,84 MB | Adobe PDF | Öffnen/Anzeigen |
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