Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.18419/opus-10521
Authors: Hähnel, Daniel
Title: Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren
Issue Date: 2019
metadata.ubs.publikation.typ: Dissertation
metadata.ubs.publikation.seiten: XV, 113, xxxii
URI: http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/10538
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-105385
http://dx.doi.org/10.18419/opus-10521
Abstract: Im Rahmen der Arbeit wird eine Einordnung gegeben, inwiefern der TFET in der heutigen Skalierung der Mikroprozessoren eine Alternative zum konventionellen MOSFET-Aufbau darstellen kann. Im Speziellen wurde der Germanium-p-Kanal-Tunneltransistor experimentell über die Prozessentwicklung eines GAA-Aufbaus (komplett umgebende Gate-Elektrode, engl. Gate-All-Around-Structure) realisiert und über die physikalische Modellierung des Schaltverhaltens betrachtet.
Appears in Collections:05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik

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