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1999Nichtthermische Aktivierung von KristallisationsvorgängenLjutovic, Abram Srulevic
1999Elektrophysikalische Eigenschaften der SchichtenLjutovic, Abram Srulevic
1999Anfangswachstumsstadien der epitaktischen Schichten aus MolekülströmenLjutovic, Abram Srulevic
1999Die elektrophysikalischen Eigenschaften dünner epitaktischer SiliziumschichtenLjutovic, Abram Srulevic
1999Abhängigkeit der Anfangsbildungsstadien dünner und epitaktischer Schichten von der Wachstumstemperatur und der Oberflächenbestrahlung durch IonenLjutovic, Abram Srulevic
1999Energiespektrum beschleunigter Ionen, die die Wachstumsoberfläche bombardieren und ihr Einfluß auf das Epitaxie-WachstumLjutovic, Abram Srulevic
1999Ionenaktivierte Filmkristallisation - VorwortLjutovic, Abram Srulevic
1999Durch Abscheidung ionisierter Cluster gewonnene SolarzellenLjutovic, Abram Srulevic
1999Wirkung der Ionen auf das Kristallwachstum : Charakteristik der AbscheidungskennwerteLjutovic, Abram Srulevic
2000Silizium-Epitaxie aus Molekularströmen in verdünnter WasserstoffatmosphäreLjutovic, Abram Srulevic

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