Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-6420
Autor(en): Ljutovic, Abram Srulevic
Titel: Die wichtigsten Gesetzmäßigkeiten des Wachstums von Filmen und epitaktischen Schichten aus Ionenmolekularströmen
Erscheinungsdatum: 1999
Dokumentart: Verschiedenartige Texte
Erschienen in: Originaltext erschienen in: Ljutovic, Abram Srulevic: Ionno-aktivirovannaja kristallizacija plenok. Taskent : FAN, 1982, S. 79-92
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-82081
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6437
http://dx.doi.org/10.18419/opus-6420
Zusammenfassung: Hier werden charakteristische Forschungsergebnisse verschiedener Autoren dargestellt, die die Vorgänge der Metallschichtabscheidung und Kristallisation von Halbleiter-Epitaxieschichten aus Ionenmolekularströmen untersucht haben. Dabei widmen wir den Untersuchungen zum Wachstum von Halbleiter-Einkristallschichten besondere Aufmerksamkeit.
Enthalten in den Sammlungen:13 Zentrale Universitätseinrichtungen

Dateien zu dieser Ressource:
Datei Beschreibung GrößeFormat 
Ue_541_Ljutovic.pdf2,49 MBAdobe PDFÖffnen/Anzeigen


Alle Ressourcen in diesem Repositorium sind urheberrechtlich geschützt.