Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-6281
Autor(en): Uskov, V. A.
Erofeeva, E. A.
Lineva, N. A.
Titel: Niedertemperaturdiffusion von Siliziumverunreinigungen
Erscheinungsdatum: 1985
Dokumentart: Verschiedenartige Texte
Erschienen in: Originaltext erschienen in: Liegirovannye poluprovodniki (1982), S. 110-114
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-38044
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6298
http://dx.doi.org/10.18419/opus-6281
Zusammenfassung: In der Arbeit werden die Versuchsergebnisse der Verfasser zur Niedertemperaturdiffusion der Nebengruppenelemente I (Au, Ag), VI (Cr) und VII (Ni, pd) des Periodensystems in Si verallgemeinert dargestellt. Die Problemstellung ergab sich aus der Bedeutung, die die Niedertemperaturdiffusion in der neuen Technologie der Festphasenepitaxie des Siliziums spielt, aber auch aufgrund der Erscheinungen, die die physikalische Zuverlässigkeit der elektronischen Bauteile bestimmen.
Enthalten in den Sammlungen:13 Zentrale Universitätseinrichtungen

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