Oxidische FETs mit sub-100 nm Gatelänge

Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-8881

Langanzeige der Metadaten

DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.advisor	Mannhart, Jochen (Prof. Dr.)	-
dc.contributor.author	Woltmann, Carsten	-
dc.date.accessioned	2016-09-30T13:50:57Z	-
dc.date.available	2016-09-30T13:50:57Z	-
dc.date.issued	2016	de
dc.identifier.other	477704379	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-88982	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8898	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-8881	-
dc.language.iso	de	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.ddc	530	de
dc.title	Oxidische FETs mit sub-100 nm Gatelänge	de
dc.type	doctoralThesis	de
ubs.dateAccepted	2016-06-30	-
ubs.fakultaet	Externe wissenschaftliche Einrichtungen	de
ubs.institut	Max-Planck-Institut für Festkörperforschung	de
ubs.publikation.seiten	120	de
ubs.publikation.typ	Dissertation	de
ubs.thesis.grantor	Mathematik und Physik	de
Enthalten in den Sammlungen:	08 Fakultät Mathematik und Physik

Dateien zu dieser Ressource:

Datei	Beschreibung	Größe	Format
Woltmann_Dissertation.pdf		12,9 MB	Adobe PDF	Öffnen/Anzeigen

Alle Ressourcen in diesem Repositorium sind urheberrechtlich geschützt.

Universität Stuttgart