Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.18419/opus-4702
Authors: Weiers, Tilman
Title: Magnetische Resonanz an Mangan-dotierten Halbleitern
Other Titles: Magnetic resonance on manganese doped semiconductors
Issue Date: 2003
metadata.ubs.publikation.typ: Abschlussarbeit (Diplom)
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-15482
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/4719
http://dx.doi.org/10.18419/opus-4702
Abstract: Es werden mehrere Proben aus Mangan-dotiertem GaAs anhand der ESR untersucht. Aus den Spektren werden die Beiträge der Feinstruktur und Hyperfeinstruktur ermittelt. In einer der Proben werden Mn-S Komplexe beobachtet. Die Spektren aus Messungen im W-Band bei 94 GHz zeigen Beiträge von ionisiertem Mangan auf Zwischengitterplätzen.
Several GaAs samples doped with manganese at different concentrations are studied by EPR. From the spectra the fine structure and hyperfine structure contributions are evaluated and Mn-S complexes are found in one of our samples. The experiments carried out at 94 GHz reveal the presence of interstitial manganese in an epitaxial (Ga,Mn)As layer.
Appears in Collections:08 Fakultät Mathematik und Physik

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